IRS21091STRPBF vs IR2109SPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRS21091STRPBF par Infineon et IR2109SPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRS21091STRPBF IR2109SPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $1,05
Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
Driven Channels High-Side and Low-Side, Synchronous —
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET —
Logic Input Compatibility CMOS or LSTTL, down to 3.3 V —
Output Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 750 ns —
Deadtime Control Programmable —
Shutdown Pin Yes —
Boîtier 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) SOIC-8
Packaging Tape & Reel —
Statut RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Temps de montée — 200 ns
Temps de descente — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Bootstrap Diode — Integrated
Température de jonction en fonctionnement — -40 C to +150 C
Type de montage — Surface Mount

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