IRS21867STRPBF vs IR2109SPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS21867STRPBF von Infineon und IR2109SPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS21867STRPBF IR2109SPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,55 $1,05
Topologie High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Offset Voltage (High-Side, max) 600 V —
Output Current (Source/Sink, typical) 4 A / 4 A —
Supply Voltage VCC 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply VBS up to VCC + 600 V (floating) —
Input Logic Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS / TTL 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Rise Time (typ, 1 nF load) 22 ns —
Fall Time (typ, 1 nF load) 18 ns —
Turn-On Propagation Delay (typ) 170 ns —
Turn-Off Propagation Delay (typ) 170 ns —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Yes (VCC)
Operating Temperature Range (TJ) -40C to +150C —
Gehäuse 8-SOIC (SOIC-8, 8-pin SOIC N T/R) SOIC-8
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 2 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Status Lead Free —
Channel Count 2 (1 high-side + 1 low-side) —
Input Type Non-Inverting (HIN, LIN) —
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Anstiegszeit — 200 ns
Abfallzeit — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Bootstrap Diode — Integrated
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40 C to +150 C

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