IRS21867STRPBF vs IR2109SPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRS21867STRPBF par Infineon et IR2109SPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRS21867STRPBF | IR2109SPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,55 | $1,05 |
| Topologie | High-Side and Low-Side (Half-Bridge) | — |
| Offset Voltage (High-Side, max) | 600 V | — |
| Output Current (Source/Sink, typical) | 4 A / 4 A | — |
| Supply Voltage VCC | 10 V to 20 V | — |
| Bootstrap Supply VBS | up to VCC + 600 V (floating) | — |
| Input Logic Compatibility | 3.3 V and 5 V CMOS / TTL | 3.3 V / 5 V CMOS / TTL |
| Rise Time (typ, 1 nF load) | 22 ns | — |
| Fall Time (typ, 1 nF load) | 18 ns | — |
| Turn-On Propagation Delay (typ) | 170 ns | — |
| Turn-Off Propagation Delay (typ) | 170 ns | — |
| Undervoltage Lockout | Yes (VCC and VBS) | Yes (VCC) |
| Operating Temperature Range (TJ) | -40C to +150C | — |
| Boîtier | 8-SOIC (SOIC-8, 8-pin SOIC N T/R) | SOIC-8 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 2 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free Status | Lead Free | — |
| Channel Count | 2 (1 high-side + 1 low-side) | — |
| Input Type | Non-Inverting (HIN, LIN) | — |
| Driver Configuration | — | Half-Bridge |
| Number of Drivers | — | 2 (high-side + low-side) |
| High-Side Voltage Tolerance | — | 600 V |
| Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Source Current (typical) | — | 0.2 A |
| Sink Current (typical) | — | 0.35 A |
| Turn-On Propagation Delay | — | 150 ns |
| Turn-Off Propagation Delay | — | 150 ns |
| Temps de montée | — | 200 ns |
| Temps de descente | — | 50 ns |
| Quiescent VCC Current | — | 1 mA |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -40 C to +150 C |