IS43TR16256AL-107MBLI vs IS43TR16256A-125KBL Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IS43TR16256AL-107MBLI von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc und IS43TR16256A-125KBL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI ✓ Aktiv
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI

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Spezifikationsvergleich

Parameter IS43TR16256AL-107MBLI IS43TR16256A-125KBL
Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,00 $19,09
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3 SDRAM
Speichergröße 4 Gbit 4Gbit (256M x 16)
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Clock Speed 933 MHz —
Datenrate 1866 Mbps 1600MT/s
Access Time 20 ns 20 ns
Versorgungsspannung 1.35V (backward compatible to 1.5V) —
Gehäuse / Bauform 96-TWBGA (9x13mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +95°C (Tc)
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 8 (with burst chop 4)
On-Die Termination Yes —
RoHS-Status Compliant —
Memory Interface Parallel —
Clock Frequency — 800 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.5V ± 0.075V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.5V ± 0.075V
CAS-Latenz — 11
Gehäuse — 96-TWBGA (9x13mm)
RoHS — Compliant
Anzahl der Pins — 96

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