IS43TR16256AL-107MBLI vs IS43TR16256A-125KBL Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IS43TR16256AL-107MBLI par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc et IS43TR16256A-125KBL par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI ✓ Actif
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256A-125KBL ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IS43TR16256AL-107MBLI IS43TR16256A-125KBL
Marque ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,00 $19,09
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3 SDRAM
Taille de mémoire 4 Gbit 4Gbit (256M x 16)
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Clock Speed 933 MHz —
Débit de données 1866 Mbps 1600MT/s
Access Time 20 ns 20 ns
Tension d'alimentation 1.35V (backward compatible to 1.5V) —
Boîtier / Format 96-TWBGA (9x13mm) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +95°C (Tc)
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 8 (with burst chop 4)
On-Die Termination Yes —
Statut RoHS Compliant —
Memory Interface Parallel —
Clock Frequency — 800 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.5V ± 0.075V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.5V ± 0.075V
Latence CAS — 11
Boîtier — 96-TWBGA (9x13mm)
RoHS — Compliant
Nombre de broches — 96

Fiches techniques et ressources

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