IS43TR16256AL-107MBLI vs IS43TR16256A-125KBL 비교
다음의 상세 나란히 비교: IS43TR16256AL-107MBLI 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 및 IS43TR16256A-125KBL 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI ✓ 활성ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256A-125KBL ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IS43TR16256AL-107MBLI | IS43TR16256A-125KBL |
|---|---|---|
| 브랜드 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.00 | $19.09 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | 4Gbit (256M x 16) |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Speed | 933 MHz | — |
| 데이터 속도 | 1866 Mbps | 1600MT/s |
| Access Time | 20 ns | 20 ns |
| 공급 전압 | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | — |
| 패키지 / 케이스 | 96-TWBGA (9x13mm) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C (Tc) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.5V ± 0.075V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.5V ± 0.075V |
| CAS 레이턴시 | — | 11 |
| 패키지 | — | 96-TWBGA (9x13mm) |
| RoHS | — | Compliant |
| 핀 수 | — | 96 |