ISA150233C03LMDSXTMA1 vs IRF7341GTRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISA150233C03LMDSXTMA1 von Infineon und IRF7341GTRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
ISA150233C03LMDSXTMA1 ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon

ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon

ISA150233C03LMDSXTMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter ISA150233C03LMDSXTMA1 IRF7341GTRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,61 $0,76
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-channel + P-channel (1 N + 1 P) Dual N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 55 V
N-channel Continuous Drain Current (Ta) 7.6 A —
N-channel Continuous Drain Current (Tc) 10.2 A —
P-channel Continuous Drain Current (Ta) 6.6 A —
P-channel Continuous Drain Current (Tc) 8.8 A —
Total Power Dissipation (Ta) 1.4 W —
Total Power Dissipation (Tc) 2.5 W —
Gehäuse PG-DSO-8-920 (SO-8 with thermal pad) 8-SO (SOIC-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Marking Code 1523C03L —
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET IR HEXFET Planar MOSFET
Channel Type N-channel + P-channel enhancement mode —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C (junction) -55 C to +175 C
RoHS-Status Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) — 5.1 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) — 2.4 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

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