ISA150233C03LMDSXTMA1 vs IRF7341GTRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISA150233C03LMDSXTMA1 par Infineon et IRF7341GTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISA150233C03LMDSXTMA1 ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon

ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon

ISA150233C03LMDSXTMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISA150233C03LMDSXTMA1 IRF7341GTRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,61 $0,76
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-channel + P-channel (1 N + 1 P) Dual N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 55 V
N-channel Continuous Drain Current (Ta) 7.6 A —
N-channel Continuous Drain Current (Tc) 10.2 A —
P-channel Continuous Drain Current (Ta) 6.6 A —
P-channel Continuous Drain Current (Tc) 8.8 A —
Total Power Dissipation (Ta) 1.4 W —
Total Power Dissipation (Tc) 2.5 W —
Boîtier PG-DSO-8-920 (SO-8 with thermal pad) 8-SO (SOIC-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Marking Code 1523C03L —
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET IR HEXFET Planar MOSFET
Channel Type N-channel + P-channel enhancement mode —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (junction) -55 C to +175 C
Statut RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) — 5.1 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) — 2.4 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Fiches techniques et ressources

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