ISC008N06LM6ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC008N06LM6ATMA1 von Infineon und ISC011N04NM7VATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC008N06LM6ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 7 Power-Transistor
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 44 A —
Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc 378 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 221 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
RDS(on) max @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical) —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (Tj) -55 °C to +175 °C (TJ)
Package Type PG-TDSON-8 (Surface Mount) —
Montagestil Surface Mount, Tape & Reel —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / Lead-Free Status RoHS Compliant, Lead-Free —
Halogenfrei Yes —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Technology — Trench MOSFET, silicon
Gehäuse — PG-TDSON-8 (source-down)
Montageart — Surface Mount
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

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