ISC008N06LM6ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC008N06LM6ATMA1 por Infineon e ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC008N06LM6ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 7 Power-Transistor
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 44 A —
Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc 378 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 221 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
RDS(on) max @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical) —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (Tj) -55 °C to +175 °C (TJ)
Package Type PG-TDSON-8 (Surface Mount) —
Estilo de montagem Surface Mount, Tape & Reel —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / Lead-Free Status RoHS Compliant, Lead-Free —
Livre de halogênio Yes —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Technology — Trench MOSFET, silicon
Encapsulamento — PG-TDSON-8 (source-down)
Tipo de montagem — Surface Mount
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

Fichas técnicas e recursos

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