ISC009N03LF2SATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC009N03LF2SATMA1 von Infineon und ISC028N03LF2SATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC009N03LF2SATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,48 $0,86
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ trench —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 43 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 341 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) —
Gehäuse PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet]) —
Gate Drive Voltage (VGS) 10 V (typical for rated RDS(on)) —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 128 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.35 V
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
RoHS / Lead-Free — Yes (RoHS compliant)

Datenblätter & Ressourcen

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