ISC009N03LF2SATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC009N03LF2SATMA1 por Infineon e ISC028N03LF2SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC009N03LF2SATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,48 $0,86
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ trench —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 43 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 341 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) —
Encapsulamento PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet]) —
Gate Drive Voltage (VGS) 10 V (typical for rated RDS(on)) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 128 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.35 V
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
RoHS / Lead-Free — Yes (RoHS compliant)

Fichas técnicas e recursos

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