ISC011N04NM7VATMA1 vs IAUC120N06S5N011ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC011N04NM7VATMA1 von Infineon und IAUC120N06S5N011ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC011N04NM7VATMA1 IAUC120N06S5N011ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,41 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor OptiMOS-5
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 256 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.1 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 136 W —
Gate Threshold Voltage (Vth) Up to 3.2 V —
Technology Trench MOSFET, silicon —
Gehäuse PG-TDSON-8 (source-down) PG-TDSON-8-53 (SSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Short-Circuit Withstand Yes (current-limited) —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (TJ) -55°C to +175°C (Tj)
RoHS Compliance Compliant (per Infineon product page) Compliant
MSL-Level MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) — 120 A (Tc=25°C, Vgs=10V)
Pulsed Drain Current (Idm) — 310 A (Tj)
On-Resistance Rds(on) max — 1.1 mΩ at Vgs=10 V
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total value]
Power Dissipation (Pd) — 188 W (Tc=25°C)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

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