ISC011N04NM7VATMA1 vs IAUC120N06S5N011ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon et IAUC120N06S5N011ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC120N06S5N011ATMA1 - 60V 1.1mΩ OptiMOS-5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5N011ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | ISC011N04NM7VATMA1 | IAUC120N06S5N011ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,41 | $1,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | OptiMOS-5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 256 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.1 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 136 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | Up to 3.2 V | — |
| Technology | Trench MOSFET, silicon | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 (source-down) | PG-TDSON-8-53 (SSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Short-Circuit Withstand | Yes (current-limited) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55°C to +175°C (Tj) |
| RoHS Compliance | Compliant (per Infineon product page) | Compliant |
| Niveau MSL | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 120 A (Tc=25°C, Vgs=10V) |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 310 A (Tj) |
| On-Resistance Rds(on) max | — | 1.1 mΩ at Vgs=10 V |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total value] |
| Power Dissipation (Pd) | — | 188 W (Tc=25°C) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |