ISC011N04NM7VATMA1 vs IAUC120N06S5N017ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC011N04NM7VATMA1 von Infineon und IAUC120N06S5N017ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC011N04NM7VATMA1 IAUC120N06S5N017ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,41 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 256 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.1 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 136 W —
Gate Threshold Voltage (Vth) Up to 3.2 V —
Technology Trench MOSFET, silicon —
Gehäuse PG-TDSON-8 (source-down) PG-TDSON-8-43 (TDSON-8 EP)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Short-Circuit Withstand Yes (current-limited) —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (TJ) -55°C to +175°C
RoHS Compliance Compliant (per Infineon product page) Green Product (RoHS compliant)
MSL-Level MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (260°C peak reflow)
Series — OptiMOS 5
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 757 A
RDS(on) at VGS=10V — 1.7 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.4 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 95.9 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6.952 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 84 pF
Output Capacitance (Coss) — 1.507 nF
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 167 W
AEC-Q101 Qualification — Yes (Automotive Grade)

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