ISC011N04NM7VATMA1 vs IAUC120N06S5N017ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon e IAUC120N06S5N017ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC011N04NM7VATMA1 IAUC120N06S5N017ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,41 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 256 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.1 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 136 W —
Gate Threshold Voltage (Vth) Up to 3.2 V —
Technology Trench MOSFET, silicon —
Encapsulamento PG-TDSON-8 (source-down) PG-TDSON-8-43 (TDSON-8 EP)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Short-Circuit Withstand Yes (current-limited) —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (TJ) -55°C to +175°C
RoHS Compliance Compliant (per Infineon product page) Green Product (RoHS compliant)
Nível MSL MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (260°C peak reflow)
Series — OptiMOS 5
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 757 A
RDS(on) at VGS=10V — 1.7 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.4 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 95.9 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6.952 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 84 pF
Output Capacitance (Coss) — 1.507 nF
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 167 W
AEC-Q101 Qualification — Yes (Automotive Grade)

Fichas técnicas e recursos

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