ISC015N04NM5ATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC015N04NM5ATMA1 von Infineon und BSC0906NSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC015N04NM5ATMA1 BSC0906NSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,98 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 40V Normal Level —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.4 V (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
R_DS(on) max 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 206 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 115 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) -55C to +150C (junction, typical)
Gehäuse / Bauform PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 8 8
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (per Infineon SuperSO8 family) —
Drive Level Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 63 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Gehäuse — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern