ISC015N04NM5ATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ISC015N04NM5ATMA1 от Infineon и BSC0906NSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
ISC015N04NM5ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 - 30V 63A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0906NSATMA1 - 30V 63A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0906NSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ISC015N04NM5ATMA1 BSC0906NSATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,98 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 40V Normal Level —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.4 V (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
R_DS(on) max 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 206 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 115 W —
Диапазон рабочих температур -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) -55C to +150C (junction, typical)
Корпус / Типоразмер PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 8 8
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (per Infineon SuperSO8 family) —
Drive Level Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 63 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Корпус — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену