ISC015N04NM5ATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC015N04NM5ATMA1 por Infineon y BSC0906NSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC015N04NM5ATMA1 BSC0906NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,98 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 40V Normal Level —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.4 V (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
R_DS(on) max 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 206 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 115 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) -55C to +150C (junction, typical)
Encapsulado / Carcasa PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 8 8
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 (per Infineon SuperSO8 family) —
Drive Level Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 63 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Encapsulado — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

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