ISC024N08NM7ATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC024N08NM7ATMA1 von Infineon und ISC028N03LF2SATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC024N08NM7ATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,02 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 24 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 167 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc 150 W —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gehäuse / Bauform PG-TDSON-8 (SSO8) —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C —
Gate Threshold Voltage (typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Rds(on) at Vgs=10V (typ) [DATA_NEEDED: Rds(on) typical value] —
Total Gate Charge Qg (typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
RoHS-Status Compliant —
Halogenfrei Yes —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET —
Product Family — OptiMOS 5 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 128 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.35 V
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Gehäuse — PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
RoHS / Lead-Free — Yes (RoHS compliant)

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