ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC009N03LF2SATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC028N03LF2SATMA1 von Infineon und ISC009N03LF2SATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC028N03LF2SATMA1 ISC009N03LF2SATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,86 $1,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 128 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V —
Power Dissipation at TA 3 W —
Power Dissipation at TC 83 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Yes (RoHS compliant) —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS™ trench
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 43 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 341 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
On-Resistance RDS(on) max — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.35 V (typ)
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet])
Gate Drive Voltage (VGS) — 10 V (typical for rated RDS(on))
RoHS-Status — Compliant

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