ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC009N03LF2SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC028N03LF2SATMA1 par Infineon et ISC009N03LF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC028N03LF2SATMA1 ISC009N03LF2SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,86 $1,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 128 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V —
Power Dissipation at TA 3 W —
Power Dissipation at TC 83 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Yes (RoHS compliant) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS™ trench
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 43 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 341 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
On-Resistance RDS(on) max — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.35 V (typ)
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet])
Gate Drive Voltage (VGS) — 10 V (typical for rated RDS(on))
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis