ISC037N12NM6ATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von ISC037N12NM6ATMA1 von Infineon und IPT017N12NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | ISC037N12NM6ATMA1 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $3,62 | $1,85 |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 19.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | 163 A | — |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | 3.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | 214 W | 395 W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Gehäuse | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperaturbereich | -55C to +175C (junction) | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| MSL-Level | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPT017N12NM6ATMA1 |
| Transistortyp | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 331 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mOhm |
| Betriebstemperatur | — | -55C to +175C |
| Pin-Anzahl | — | 8 + tab |
| Packaging | — | Tape & Reel |