ISC037N12NM6ATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: ISC037N12NM6ATMA1 제조: Infineon 및 IPT017N12NM6ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | ISC037N12NM6ATMA1 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.62 | $1.85 |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 19.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | 163 A | — |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | 3.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | 214 W | 395 W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C (junction) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPT017N12NM6ATMA1 |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 331 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mOhm |
| 동작 온도 | — | -55C to +175C |
| 핀 수 | — | 8 + tab |
| Packaging | — | Tape & Reel |