ISC045N03L5SATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC045N03L5SATMA1 von Infineon und BSC019N04LSTATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC045N03L5SATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,51 $1,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number ISC045N03L5SATMA1 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 / Trench OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 63 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mΩ 1.9 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V @ ID=250 µA —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF @ VDS=15 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Gehäuse SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C
RoHS-Status Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
MSL-Level — 1 (unlimited)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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