ISC045N03L5SATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC045N03L5SATMA1 por Infineon y BSC019N04LSTATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC045N03L5SATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,51 $1,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number ISC045N03L5SATMA1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 / Trench OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 63 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mΩ 1.9 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V @ ID=250 µA —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF @ VDS=15 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Encapsulado SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C
Estado RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Nivel MSL — 1 (unlimited)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización