ISC045N03L5SATMA1 vs IPB014N06NATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC045N03L5SATMA1 von Infineon und IPB014N06NATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC045N03L5SATMA1 IPB014N06NATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,51 $2,10
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number ISC045N03L5SATMA1 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 / Trench OptiMOS 5 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 63 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V @ ID=250 µA —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF @ VDS=15 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Gehäuse SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C —
RoHS-Status Compliant —
Transistor Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 34 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 214 W
On-Resistance RDS(on) max — 1.4 mΩ at VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Avalanche Rating — 100% avalanche tested
Qualification — JEDEC qualified for target applications
Primary Application — Synchronous rectification, motor control

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