ISC045N03L5SATMA1 vs IPB014N06NATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC045N03L5SATMA1 par Infineon et IPB014N06NATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC045N03L5SATMA1 IPB014N06NATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,51 $2,10
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number ISC045N03L5SATMA1 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 / Trench OptiMOS 5 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 63 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V @ ID=250 µA —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF @ VDS=15 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Boîtier SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C —
Statut RoHS Compliant —
Transistor Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 34 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 214 W
On-Resistance RDS(on) max — 1.4 mΩ at VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Avalanche Rating — 100% avalanche tested
Qualification — JEDEC qualified for target applications
Primary Application — Synchronous rectification, motor control

Fiches techniques et ressources

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