ISC045N03L5SATMA1 vs IPB014N06NATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC045N03L5SATMA1 por Infineon y IPB014N06NATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC045N03L5SATMA1 IPB014N06NATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,51 $2,10
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number ISC045N03L5SATMA1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 / Trench OptiMOS 5 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 63 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V @ ID=250 µA —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF @ VDS=15 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Encapsulado SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C —
Estado RoHS Compliant —
Transistor Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 34 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 214 W
On-Resistance RDS(on) max — 1.4 mΩ at VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Avalanche Rating — 100% avalanche tested
Qualification — JEDEC qualified for target applications
Primary Application — Synchronous rectification, motor control

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