ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC046N13NM6ATMA1 von Infineon und ISC080N10NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC046N13NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,08 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 135 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 142 A —
Power Dissipation (PD) at TA 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC 211 W —
Gehäuse / Bauform PG-TDSON-8 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET —
Gate Drive (recommended) 10 V (typical) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Product Family — OptiMOS™ 6 100V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V at 36 µA
Gehäuse — PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes
Qualification — Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)

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