ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC046N13NM6ATMA1 por Infineon e ISC080N10NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro ISC046N13NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,08 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 135 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 142 A —
Power Dissipation (PD) at TA 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC 211 W —
Encapsulamento / Caixa PG-TDSON-8 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET —
Gate Drive (recommended) 10 V (typical) —
Status RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Product Family — OptiMOS™ 6 100V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V at 36 µA
Encapsulamento — PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes
Qualification — Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)

Fichas técnicas e recursos

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