ISC058N04NM5ATMA1 vs IQE004NE1LM7CGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC058N04NM5ATMA1 von Infineon und IQE004NE1LM7CGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC058N04NM5ATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,60 $1,06
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 40V Normal Level —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 15 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 63 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 17 A —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A 5.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.4 V —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W 2.1 W
Power Dissipation (TC=25C) 42 W 89 W
Gehäuse PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TTFN-9-3 (surface mount)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET N-Channel Trench Power MOSFET
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C —
RoHS Compliance RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL per JEDEC J-STD-020 —
Gate Drive Level Normal Level (10V VGS recommended) —
Series — OptiMOS 7
Continuous Drain Current (ID, TA=25C) — 58 A
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 379 A
On-Resistance RDS(on) max — 0.45 mOhm at VGS=10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Betriebstemperatur — -55C to +150C (junction)
RoHS-Status — Compliant
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Packaging — Tape & Reel (CGATMA1 suffix)
Polarization — N-Channel

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