ISC058N04NM5ATMA1 vs IQE004NE1LM7CGATMA1 比較
詳細な並列比較: ISC058N04NM5ATMA1 メーカー: Infineon および IQE004NE1LM7CGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | ISC058N04NM5ATMA1 | IQE004NE1LM7CGATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.60 | $1.06 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 40V Normal Level | — |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 15 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 63 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 17 A | — |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A | 5.8 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.4 V | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3 W | 2.1 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | 42 W | 89 W |
| パッケージ | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TTFN-9-3 (surface mount) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | N-Channel Trench Power MOSFET |
| 動作温度範囲 | -55C to +175C | — |
| RoHS Compliance | RoHS Compliant | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL per JEDEC J-STD-020 | — |
| Gate Drive Level | Normal Level (10V VGS recommended) | — |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Continuous Drain Current (ID, TA=25C) | — | 58 A |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 379 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 0.45 mOhm at VGS=10 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| 動作温度 | — | -55C to +150C (junction) |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Packaging | — | Tape & Reel (CGATMA1 suffix) |
| Polarization | — | N-Channel |