ISC060N06NM6ATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC060N06NM6ATMA1 von Infineon und ISC015N06NM5LF2ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC060N06NM6ATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,33 $2,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 15.2 A 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 62 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W 217 W
Gehäuse PG-TDSON-8 (TDSON-8) PG-TDSON-8 FL (5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 (60V generation) OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel)
Configuration Single N-Channel —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family) —
Gate Drive Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on)) —
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] 3 V
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ/nC] 90 nC
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 275 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.55 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.3 mΩ
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 1.3 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6.9 nF
Output Capacitance (Coss) — 1.3 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 55 pF
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
RoHS — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

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