ISC060N06NM6ATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 比較

詳細な並列比較: ISC060N06NM6ATMA1 メーカー: Infineon および ISC015N06NM5LF2ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon

ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon

ISC015N06NM5LF2ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISC060N06NM6ATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.33 $2.21
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 15.2 A 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 62 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W 217 W
パッケージ PG-TDSON-8 (TDSON-8) PG-TDSON-8 FL (5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 (60V generation) OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel)
Configuration Single N-Channel —
動作温度範囲 -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family) —
Gate Drive Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on)) —
RoHS ステータス Compliant —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] 3 V
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ/nC] 90 nC
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 275 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.55 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.3 mΩ
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 1.3 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6.9 nF
Output Capacitance (Coss) — 1.3 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 55 pF
動作接合温度 — -55 °C to +175 °C
RoHS — Compliant

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼