ISC060N10NM6ATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC060N10NM6ATMA1 von Infineon und ISC046N13NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC060N10NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,43 $1,08
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 100 V —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 135 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 15 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 97 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typical) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (TJ) -55 C to +175 C
Gehäuse PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 (thin-wafer trench) OptiMOS 6 trench MOSFET
Polarity N-Channel —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Part Family — OptiMOS 6
Continuous Drain Current (ID) at TA — 17 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 142 A
Power Dissipation (PD) at TA — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC — 211 W
Gehäuse / Bauform — PG-TDSON-8
Gate Drive (recommended) — 10 V (typical)
Packaging — Tape & Reel

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