ISC060N10NM6ATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC060N10NM6ATMA1 por Infineon e ISC046N13NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro ISC060N10NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,43 $1,08
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 100 V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 135 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 15 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 97 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typical) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (TJ) -55 C to +175 C
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 (thin-wafer trench) OptiMOS 6 trench MOSFET
Polarity N-Channel —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Part Family — OptiMOS 6
Continuous Drain Current (ID) at TA — 17 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 142 A
Power Dissipation (PD) at TA — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC — 211 W
Encapsulamento / Caixa — PG-TDSON-8
Gate Drive (recommended) — 10 V (typical)
Packaging — Tape & Reel

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