ISC078N12NM6ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC078N12NM6ATMA1 von Infineon und ISC011N04NM7VATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC078N12NM6ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 7 Power-Transistor
Technology N-Channel Trench MOSFET Trench MOSFET, silicon
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 85 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.2 A —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 7.8 mΩ —
Power Dissipation at Tc 125 W —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Gehäuse SuperSO8 (TDSON-8) PG-TDSON-8 (source-down)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C (TJ)
Pin-Anzahl 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] —
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level 1 MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

Datenblätter & Ressourcen

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