ISC078N12NM6ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC078N12NM6ATMA1 por Infineon e ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC078N12NM6ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 7 Power-Transistor
Technology N-Channel Trench MOSFET Trench MOSFET, silicon
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 85 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.2 A —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 7.8 mΩ —
Power Dissipation at Tc 125 W —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Encapsulamento SuperSO8 (TDSON-8) PG-TDSON-8 (source-down)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C (TJ)
Contagem de pinos 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] —
Status RoHS Compliant —
Nível MSL 1 MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

Fichas técnicas e recursos

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