ISC078N12NM6ATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC078N12NM6ATMA1 von Infineon und ISC028N03LF2SATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC078N12NM6ATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 5 30V
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 85 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.2 A —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 7.8 mΩ —
Power Dissipation at Tc 125 W —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Gehäuse SuperSO8 (TDSON-8) PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction) —
Pin-Anzahl 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] —
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Yes —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 128 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.35 V
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
RoHS / Lead-Free — Yes (RoHS compliant)

Datenblätter & Ressourcen

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