ISC078N12NM6ATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISC078N12NM6ATMA1 от Infineon и ISC028N03LF2SATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
ISC078N12NM6ATMA1 - 120V 85A N-Ch MOSFET 7.8mΩ SuperSO8 | Infineon
ISC078N12NM6ATMA1 ✓ АктивенInfineon
ISC028N03LF2SATMA1 - 30V 2.8mOhm N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS
ISC028N03LF2SATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | ISC078N12NM6ATMA1 | ISC028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,78 | $0,86 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 30V |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 85 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | 7.8 mΩ | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Корпус | SuperSO8 (TDSON-8) | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +175C (junction) | — |
| Число выводов | 8 | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Уровень MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 128 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.8 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.35 V |
| Power Dissipation at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC | — | 83 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55 C to +175 C |
| RoHS / Lead-Free | — | Yes (RoHS compliant) |