ISC080N10NM6ATMA1 vs IAUC120N06S5L011ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC080N10NM6ATMA1 von Infineon und IAUC120N06S5L011ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC080N10NM6ATMA1 IAUC120N06S5L011ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $2,10
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 6 100V OptiMOS 5 60 V (S5 generation)
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A 8.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V at 36 µA —
Gehäuse PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes —
Qualification Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) — 310 A (Tj), 120 A marketing
R_DS(on) max — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V]
Power Dissipation (P_D) — 188 W at T_C = 25 °C
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Energy Rated — Yes (EAS)

Datenblätter & Ressourcen

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