ISC080N10NM6ATMA1 vs IAUC120N06S5L011ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ISC080N10NM6ATMA1 от Infineon и IAUC120N06S5L011ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUC120N06S5L011ATMA1 IAUC120N06S5L011ATMA1 - 60V 1.1mOhm 310A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L011ATMA1 - 60V 1.1mOhm 310A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L011ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ISC080N10NM6ATMA1 IAUC120N06S5L011ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,05 $2,10
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 6 100V OptiMOS 5 60 V (S5 generation)
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A 8.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V at 36 µA —
Корпус PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) —
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Без галогенов Yes —
Qualification Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) — 310 A (Tj), 120 A marketing
R_DS(on) max — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V]
Power Dissipation (P_D) — 188 W at T_C = 25 °C
Рабочая температура перехода — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Energy Rated — Yes (EAS)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену