ISC080N10NM6ATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC080N10NM6ATMA1 von Infineon und ISC046N13NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC080N10NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $1,08
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 6 100V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A 8.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V at 36 µA —
Gehäuse PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) -55 C to +175 C
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes —
Qualification Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) —
Part Family — OptiMOS 6
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 135 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 17 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 142 A
Power Dissipation (PD) at TA — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC — 211 W
Gehäuse / Bauform — PG-TDSON-8
Technology — OptiMOS 6 trench MOSFET
Gate Drive (recommended) — 10 V (typical)
Packaging — Tape & Reel

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