ISC080N10NM6ATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC080N10NM6ATMA1 por Infineon e ISC046N13NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro ISC080N10NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,05 $1,08
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 6 100V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A 8.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V at 36 µA —
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) -55 C to +175 C
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Livre de halogênio Yes —
Qualification Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) —
Part Family — OptiMOS 6
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 135 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 17 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 142 A
Power Dissipation (PD) at TA — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC — 211 W
Encapsulamento / Caixa — PG-TDSON-8
Technology — OptiMOS 6 trench MOSFET
Gate Drive (recommended) — 10 V (typical)
Packaging — Tape & Reel

Fichas técnicas e recursos

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