ISZ019N03L5SATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISZ019N03L5SATMA1 von Infineon und IPT017N12NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISZ019N03L5SATMA1 IPT017N12NM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $1,85
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 (<= 40V) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
RDS(on) at VGS=10V 1.9 mΩ (typical, ID=20A) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typical) —
Gate-Source Voltage Rating (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC at VGS=10V —
Input Capacitance (Ciss) 2800 pF at VDS=15V —
Gehäuse PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-HSOF-8 (TOLL)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (TJ max) —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS / REACH Compliant —
Avalanche Rated Yes —
RG-tested 100% —
Part Number — IPT017N12NM6ATMA1
Technology — OptiMOS 6
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 331 A
On-Resistance RDS(on) max — 1.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 395 W
Betriebstemperatur — -55C to +175C
Pin-Anzahl — 8 + tab
Packaging — Tape & Reel
RoHS-Status — Compliant

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