ISZ019N03L5SATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISZ019N03L5SATMA1 por Infineon y IPT017N12NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPT017N12NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1 - 120V 331A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IPT017N12NM6ATMA1 - 120V 331A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IPT017N12NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISZ019N03L5SATMA1 IPT017N12NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $1,85
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 (<= 40V) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
RDS(on) at VGS=10V 1.9 mΩ (typical, ID=20A) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typical) —
Gate-Source Voltage Rating (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC at VGS=10V —
Input Capacitance (Ciss) 2800 pF at VDS=15V —
Encapsulado PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-HSOF-8 (TOLL)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (TJ max) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS / REACH Compliant —
Avalanche Rated Yes —
RG-tested 100% —
Part Number — IPT017N12NM6ATMA1
Technology — OptiMOS 6
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 331 A
On-Resistance RDS(on) max — 1.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 395 W
Temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Recuento de pines — 8 + tab
Packaging — Tape & Reel
Estado RoHS — Compliant

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