ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISZ033N03LF2SATMA1 von Infineon und ISZ028N03LF2SATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISZ033N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,68 $0,49
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 109 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V max @ 30 uA 2.35 V
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] [DATA_NEEDED: Qg]
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse PG-TSDSON-8 FL (8-pin) PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 StrongIRFET 2 (Trench MOSFET)
RoHS-Status Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 128 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 22 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 2.8 mΩ
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C (junction, typical)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (logic level at 4.5 V)
MSL-Level — 1
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Datenblätter & Ressourcen

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