ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISZ033N03LF2SATMA1 por Infineon y ISZ028N03LF2SATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISZ033N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,68 $0,49
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 109 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V max @ 30 uA 2.35 V
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] [DATA_NEEDED: Qg]
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado PG-TSDSON-8 FL (8-pin) PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 StrongIRFET 2 (Trench MOSFET)
Estado RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 128 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 22 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 2.8 mΩ
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C (junction, typical)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (logic level at 4.5 V)
Nivel MSL — 1
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

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