ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISZ033N03LF2SATMA1 par Infineon et ISZ028N03LF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
ISZ028N03LF2SATMA1 - 30V 128A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ028N03LF2SATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | ISZ033N03LF2SATMA1 | ISZ028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,68 | $0,49 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 20 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 109 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 71 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V max @ 30 uA | 2.35 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8 FL (8-pin) | PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 | StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 128 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 22 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 2.8 mΩ |
| Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C (junction, typical) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (logic level at 4.5 V) |
| Niveau MSL | — | 1 |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |